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svf4n60d引脚功能？4n60c参数及引脚？

2024-05-15 12:19:31 文章来源 :网络 围观 : 次 评论
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　　svf4n60d引脚功能？

　　SVF4N60D引脚具有正极、负极和控制引脚共3个。SVF4N60D是一款N沟MOSFET晶体管，它是由漏极、源极和栅极三个引脚组成，其中源极引脚是负极，漏极引脚是正极，而栅极引脚是控制引脚。正极主要负责接受来自电路的电能，负极则负责接地或输出电能。控制引脚则管控SVF4N60D晶体管的导通与截止。SVF4N60D广泛应用于各种电路如逆变电路等中，它的特点是耗电小、体积小、不易损坏等，使用安全可靠，广泛受到市场欢迎和认可。

　　1. 引脚1、2为源极，引脚3为栅极，引脚4、5、6为漏极，SVF4N60D是MOS场效应管。2. SVF4N60D的主要用途是放大作用，可以用于功率放大器、开关电路、步进电机驱动器等电路中。3. 此外，SVF4N60D还有一些特殊的功能，比如基准电平调节、开关保护等等，基于这些功能可以扩展不同的应用场景。

　　SVF4N60D/F/T/K/M/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

　　引脚功能及参数：

　　4n60c参数及引脚？

　　4N60C是一款N沟道增强型场效应晶体管，其参数如下：

　　- 栅极漏电流：IGSS V GS = ± 30V ± 100nA

　　- 最大漏极电流：ID(V DS):4A

　　- 最大耗散功率：PDS:25W

　　- 最大集电极电流：IC(V DS):10A

　　关于这个问题，4N60C是一款N沟MOSFET晶体管，其参数如下：

　　- 最大漏极电压：600V

　　- 最大漏极电流：4A

　　- 最大功率：83W

　　- 开关速度：快速

　　- 封装形式：TO-220

　　

svf4n60d引脚功能？4n60c参数及引脚？

　　

svf4n60d引脚功能？4n60c参数及引脚？

　　

svf4n60d引脚功能？4n60c参数及引脚？

　　4N60C的引脚分别为：

　　1. 栅极（G）

　　2. 源极（S）

　　3. 漏极（D）

　　PD最大耗散功率：104W

　　ID最大漏源电流：4

　　V(BR)DSS漏源击穿电压：600V

　　RDS(ON)Ω内阻：2.5Ω

　　VRDS(ON)ld通态电流：2.2A

　　VRDS(ON)栅极电压：10V

　　VGS(th)V开启电压：2~4V

　　VGS(th)ld(μA)开启电流：250μA

　　To_220F/TO220Fl/TO251/TO252

来源：文章来源于网络，如有侵权请联系我们删除。
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标签 svf4n60   引脚   功能   4n60c   参数
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