mos管怎么提高击穿电压?mos管上电击穿
2023-12-07 20:40:10 文章来源 :网络 围观 : 次 评论
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mos(金属氧化物半导体)晶体管的击穿电压(breakdownvoltage)是指在栅极接地的情况下,流过漏源极电流为一个特定值时的漏源电压,其是mos晶体管击穿前能连续加在漏源极的最高瞬间的电压值。击穿电压是衡量mos晶体管耐压程度的关键参数,其越大代表mos晶体管的耐压性能越好。
对于工作在高压mos晶体管来说,击穿电压显得尤为重要。高压mos晶体管普遍用于嵌入式闪存(eflash)的电荷泵电路中,电路输出所需电压对存储单元进行擦写,而电路对器件击穿电压要求很高,随着工艺的不断开发,沟道宽度不断变窄,对击穿电压的要求愈发严格。目前增加mos晶体管击穿电压常用的方法是降低轻掺杂源漏区的掺杂浓度,而轻掺杂源漏区的掺杂浓度降低会影响驱动电流。
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