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nmos的击穿电压？场效应管击穿原因是什么？

2024-02-28 22:44:55 文章来源 :网络 围观 : 次 评论
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nmos的击穿电压？场效应管击穿原因是什么？

　　

nmos的击穿电压？场效应管击穿原因是什么？

　　

nmos的击穿电压？场效应管击穿原因是什么？

　　nmos的击穿电压？

　　然而在不需要很高的电压的情况下，使用大面的LDMOS对项目的成本增加很多。

　　例如在非易失存储器中的MOS管承受的电压1V左右，而一般0.13um工艺下NMOS管的击穿电压大约为10V，因此电路设计需要击穿电压能够达到12V以上的MOS管，小幅度提高MOS管的击穿电压，增强电路的可靠性。

　　场效应管击穿原因是什么？

　　电压电流过大或芯片损坏会导致击穿。

　　场效应管是金属一氧化物一半导体场效应管的简称，通常又叫做“绝缘栅场效应管”，它是一种用电压控制多数载流子导电的器件。它的栅极是从氧化膜引出的，栅极与源极、漏极是绝缘的，绝缘栅场效应管亦因此得名。场效管的栅极与衬底之间隔着一层氧化膜如同电容器结构一样。当栅极与衬底之间的电压超过一定的限度时，就会引起氧化膜的击穿。电压电流过大甚至人体静电都会导致场效应管的击穿，晶体管损坏也能够导致场效应管击穿。

　　破坏性击穿并不会出现, 原因:场强没有达到雪崩击穿场强,并不会产生大量电子空穴对;

　　2.

　　在沟道中间发生; 原因:穿通不容易发生在沟道表面,沟道注入使表面浓度大形成,NMOS管场效应管有防穿通注入;

　　3.

　　发生在沟道中间:鸟嘴边缘浓度>沟道中间浓度

　　4.

　　软击穿:击穿过程中,电流渐渐变大; 原因:耗尽层扩展较宽,同时发生DIBL效应,源衬底

　　场效应管击穿一般是指栅极击穿。其原因是遭遇高电压。尤其是人身的静电高电压。

来源：文章来源于网络，如有侵权请联系我们删除。
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标签 nmos   击穿电压   场效应管   击穿   原因   什么
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