关于普通运放驱动MOS管实现高压输出的问题?mos管怎么提高击穿电压?
2024-03-31 05:03:05 文章来源 :网络 围观 : 次 评论
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关于普通运放驱动MOS管实现高压输出的问题?
步进电机电机运行的使用要求驱动器输出恒流,目前的实现方式是斩波恒流或者PWM调制恒流。
mos管怎么提高击穿电压?
mos(金属氧化物半导体)晶体管的击穿电压(breakdownvoltage)是指在栅极接地的情况下,流过漏源极电流为一个特定值时的漏源电压,其是mos晶体管击穿前能连续加在漏源极的最高瞬间的电压值。击穿电压是衡量mos晶体管耐压程度的关键参数,其越大代表mos晶体管的耐压性能越好。
对于工作在高压mos晶体管来说,击穿电压显得尤为重要。高压mos晶体管普遍用于嵌入式闪存(eflash)的电荷泵电路中,电路输出所需电压对存储单元进行擦写,而电路对器件击穿电压要求很高,随着工艺的不断开发,沟道宽度不断变窄,对击穿电压的要求愈发严格。目前增加mos晶体管击穿电压常用的方法是降低轻掺杂源漏区的掺杂浓度,而轻掺杂源漏区的掺杂浓度降低会影响驱动电流。
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