碳化硅mos管和普通mos区别?是什么品牌半导体?
2024-04-04 12:15:01 文章来源 :网络 围观 : 次 评论
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碳化硅mos管和普通mos区别?
1、高工作频率:普通mos管工作频率在60KHZ左右,而碳化硅mos管在1MHZ。
用途:高频工作,可以减小电源系统中电容以及电感或变压器的体积,降低电源成本,让电源实现小型化,美观化。从而实现电源的升级换代。
2、低导通阻抗,碳化硅mos管最小内阻可以达到15毫欧,这对于普通mos管看来是不可想象的。
用途:轻松达到能效要求,减少散热片使用,降低电源体积和重量,电源温度更低,可靠性更高。
3、耐压高,碳化硅mos管目前量产的耐压可达3300V,普通mos管耐压900V,IGBT常见耐压1200V.
4、耐高温,碳化硅mos管结温可达300度,可靠性,稳定性大大高于普通mos管。
mos是什么品牌半导体?
mos是KIA品牌半导体。
KIA半导体,全称是深圳市可易亚半导体科技有限公司。主营半导体产品丰富,是一家国产MOS管厂家。专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、超结场效应管、碳化硅二极管、碳化硅场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
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