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i线光刻胶是多少nm？中国首台光刻机是多少nm的？

2024-04-18 00:53:40 文章来源 :网络 围观 : 次 评论
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　　i线光刻胶是多少nm？

　　i线光刻胶曝光光源365纳米，制作0.5-0.35微米的集成电路，以正胶为主要类型。i线光刻胶可用于6寸和8寸两种晶圆片，所以目前市场需求依然旺盛。

　　i线光刻胶诞生于20世纪80年代，由近代德国科学家约瑟夫·弗劳恩霍夫命名。

　　半导体用光刻胶，主要分为5个种类：g线光刻胶，i线光刻胶，KrF光刻胶，ArF光刻胶和EUV光刻胶。

　　中国首台光刻机是多少nm的？

　　中国首台光刻机是1985年研制成功的光刻投影机，其分辨率为2微米，采用了紫外光源和光刻胶进行微细结构的制造。这台光刻机的研制成功，标志着我国半导体制造业的起步，并为后来的芯片制造技术奠定了基础。随着技术的不断发展，目前的光刻机已经可以实现更高的分辨率，为芯片制造提供了更加精细的工具。

　　

i线光刻胶是多少nm？中国首台光刻机是多少nm的？

　　

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标签 线   光刻胶   多少   nm   中国   首台   光刻机
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