nb 电压就是内存电压吗？vfb是多大？
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nb 电压就是内存电压吗？
是的，内存电压可称为nb电压。
vfb是多大电压？
用来表征：平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。
测量：电化学方法：在三电极体系下，使用入射光激发半导体电极，并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负的时候，光生电子不能够进入外电路，也就是说不会产生光电流。
相反，当施加的电位比平带电位偏正的时候，光生电子则能偶进入外电路，进而产生光电流。所以开始产生光电流的电势即为该纳米半导体的平带电位。
平带电压可分为两部分相加，Vfb=Vfb1+Vfb2，Vfb1用来抵消功函数差的影响，Vfb2用来消除氧化层及界面电荷的影响
1）Vfb1
Vfb1=φms=φg-φf；
对于多晶硅栅，高掺杂的情况下，φg≈0.56V，+用于p型栅，-用于n型栅。
φf是相对于本征费米能级的费米势。
2）Vfb2
以固定的有效界面电荷Q0来等效所有各类电荷作用，Vfb2=-Q0/Cox。
Cox为单位面积氧化层电容，可用ε0/dox求得。
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